模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024 z13336


第一章 单元测试

 

1、
电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。

A:错
B:对
答案: 对

2、
电子器件又称无源器件,如电阻、电容、电感等.

A:对
B:错
答案: 错

3、
第一代电子器件为晶体管,晶体管出现后,拉开了人类社会步入信息时代的序幕。

A:对
B:错
答案: 错

4、
电子器件是电子线路的核心,电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。

A:错
B:对
答案: 对

5、
电子器件发展的第三代是集成电路,具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点

A:对
B:错
答案: 对

6、
模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的,只是处理信号的幅度有差别。

A:对
B:错
答案: 错

7、
计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号

A:对
B:错
答案: 错

8、
数字信号一般指时间和数值上都连续的信号

A:错
B:对
答案: 错

9、
含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统

A:对
B:错
答案: 对

10、
下列信号不属于模拟信号的是( )

A:20Hz~20kHz的音频信号
B:4~20mA的电流信号
C:灯的亮灭状态
D:0~5V的电压信号
答案: 灯的亮灭状态

第二章 单元测试

1、
在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地

A:错
B:对
答案: 错

2、
凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系

A:对
B:错
答案: 对

3、
集成运放在开环情况下一定工作在非线性区

A:错
B:对
答案: 对

4、
理想运算放大器的两个重要结论是

A:虚短与虚断
B:虚短与虚地
C:短路和断路
D:虚地与反相
答案: 虚短与虚断

5、
集成运放的线性和非线性应用电路都存在

A:虚短与虚断
B:虚短
C:虚地
D:虚断
答案: 虚断

6、
如图所示电路中,若电阻Rf虚焊,则电路的输出电压为模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第1张

A:

–UOM

B:

+UOM

C:

无穷大

D:

0

答案:

–UOM

;

+UOM

7、
反相输入积分电路中的电容接在电路的

A:同相端与输出端之间
B:同相输入端
C:反相输入端
D:反相端与输出端之间
答案: 反相端与输出端之间

8、
电路如图所示,若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ, Vi=1V,则VO=模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第2张

A:

-1V

B:

-2V

C:

1V

D:

2V

答案:

2V

9、
集成运放能处理

A:直流信号
B:交流信号
C:交流和直流信号
D:正弦信号
答案: 交流和直流信号

10、
理想运算放大器的输出电阻Ro为

A:有限值
B:无穷大
C:零
D:不确定
答案: 零

第三章 单元测试

1、
设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V,正向压降为0.7V,则图3.2电路中的输出电压VO为

A:3V
B:6.7V
C:15V
D:9.7V
答案: 6.7V

2、
用万用表的电阻档测量二极管,当 时说明二极管的单向导电性好

A:正向电阻大反向电阻小
B:正向电阻反向电阻都大
C:正向电阻反向电阻都小
D:正向电阻小反向电阻大
答案: 正向电阻小反向电阻大

3、
如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接,则该管

A:正常导通
B:电流为0
C:击穿
D:电流过大而使管子烧坏
答案: 电流过大而使管子烧坏

4、
二极管稳压电路一般是由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到。

A:错
B:对
答案: 对

5、
当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区

A:对
B:错
答案: 错

6、
P型半导体带正电,N型半导体带负电

A:对
B:错
答案: 错

7、
当温度升高时,二极管反向饱和电流将模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第3张

A:

先增大再减小

B:

减小

C:

增大

D:不变
答案:

增大

8、
半导体二极管的重要特性之一是

A:单向导电性
B:放大作用
C:滤波作用
D:温度稳定性
答案: 放大作用

9、
二极管电路如图3.1所示,则二极管导通情况为模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第4张

A:

D2导通,D1截止

B:

都截止

C:

都导通

D:

D1导通,D2截止

答案:

D2导通,D1截止

10、
稳压管的稳压区是其工作在

A:反向击穿区
B:反向截止区
C:正向导通区
D:饱和区
答案: 反向击穿区

第四章 单元测试

1、
场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成的。

A:少子
B:多子
C:两种载流子
答案: 少子

2、
场效应管是一种 控制型的电子器件。

A:光
B:电压
C:电流
答案: 电压

3、
场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。

A:电场
B:电压
C:电流
答案: 电场

4、
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时,它的低频跨导将:

A:减小
B:不变
C:增大
答案: 增大

5、
当栅源电压VGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有:

A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
答案: 结型管;耗尽型MOS管

6、
广义地说,结型场效应管应该:

A:不属于耗尽型管
B:属于耗尽型管
C:属于增强型管
D:不属于增强型管
答案: 属于耗尽型管

7、
图示是某场效应管的特性曲线。据图可知,该管是:模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第5张

A:

N沟道增强型MOS管

B:

N沟道耗尽型MOS管

C:

P沟道耗尽型MOS管          

D:

P沟道增强型MOS管

答案:

P沟道增强型MOS管

8、
某场效应管的特性曲线如图所示,该管为:模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第6张

A:

P沟道增强型MOS管

B:

N沟道增强型MOS管

C:

P沟道结型场效应管

D:

N沟道耗尽型MOS管

答案:

N沟道耗尽型MOS管

9、
图示场效应管放大电路的组态是:模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第7张

A:

差动放大

B:

共漏  

C:

共栅

D:

共源

答案:

共源

10、
测得某FET管的输出特性如图所示,则判断此管为:模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学) 知到智慧树答案2024  z13336第8张

A:

N沟道耗尽型MOS管

B:

P沟道结型FET管

C:

P沟道耗尽型MOS管

D:

N沟道结型FET管

答案:

N沟道耗尽型MOS管


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