微电子器件（电子科技大学） 中国大学mooc慕课答案2024版 m328769

，点击这里查看第五周PN结的势垒电容 ，购买后上方矩形框将出现已付费的隐藏内容 ()的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BVCBO (以下 A kw mooc慕课答案 mooc慕课答案题库 mooc答案 mooc答案题库 mooc题库 MOSFET的发展方向单元测验绝缘栅型场效应晶体管 MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流 PN结中冶金结的含义是() PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（）就是这样的 PN结之所以具有反向恢复过程是由于（） PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高 PN结的击穿种类有（） PN结的开关特性单元测验半导体器件基本方程及PN结的基本知识 PN结的扩散电容 PN结的空间电荷区的电荷有（） P型中性区 一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零 中国大学mooc慕课答案 中国大学mooc慕课答案大全 中国大学mooc慕课答案题库 中国大学mooc测验作业答案 中国大学mooc答案 中国大学MOOC答案 CSDN 中国大学mooc答案公众号 中国大学mooc答案公众号免费 中国大学mooc答案合集 中国大学MOOC答案在哪里查 中国大学MOOC答案查询 中国大学mooc答案题库 中国大学MOOC网课答案查询方法 中国大学慕课mooc答案题库 中国大学慕课答案 中国大学慕课答案题库 为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性 为了避免陷落效应，目前微波晶体管的发射区多采用（）扩散来代替磷扩散 亚阈 产生和扩散 从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb，将对输运过程产生三方面的影响() 代表发射结反偏 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（） 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响（） 任选其一都对)减小;缩小 任选其一都对)减小;降低;变小 任选其一都对)发射区禁带变窄和俄歇复合增强;发射区禁带宽度变窄和俄歇复合增强;发射区禁宽变窄和俄歇复合增强 任选其一都对)基区宽度调变效应;厄尔利效应第十三周MOSFET的小信号交流参数 任选其一都对)增大;加大;变大 任选其一都对)增大;提高;变大[/]完整 任选其一都对)漏极;漏端;漏 任选其一都对)砷;As 假设一个p+n突变结，且，则有 共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流 共发射极直流短路电流放大系数 冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的 减小基区掺杂浓度;减小基区宽度 减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流 功率增益和最高震荡频率单元测验双极型晶体管 反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程 反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的 反向电流的抽取需要时间;少子的复合需要时间;中性区有少子电荷存储 发射极开路时，使 发射结 发射结势垒区复合电流 发射结势垒电容充放电时间常数 发射结正偏 在实测的晶体管输出特性曲线中，在放大区随的增加而略有增加，这是由（）造成的 在异质结双极型晶体管中，通常用（） 在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场 均为章节测试 增大基区掺杂浓度;增大基区宽度 复合损失使小于;时间延迟使相位滞后;渡越时间的分散使减小 大学慕课MOOC的答案在哪里 宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区 对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷 对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位 对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，的存在意味着必须先付出对势垒区充放电的多子电流后，才能建立起一定的 少子在基区以（）运动为主，因此这种晶体管又称为漂移晶体管 少子扩散电流 平衡多子 引起MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而增大的原因是（）和漏区静电场对沟道的反馈作用 当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（） 当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（），该现象叫做阈值电压的短沟道效应 当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小 当MOSFET的衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡多子浓度之间时，MOSFET处于（）区 当下降到（）时所对应的角频率与频率分别称为的截止角频率与截止频率，记为与 当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应 当栅极电压为V，漏极电压为V时，器件的漏源电流为（） 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型 微电子器件（电子科技大学） 中国大学MOOC慕课答案 微电子器件（电子科技大学） 中国大学mooc慕课答案2023版 m328769 微电子器件（电子科技大学） 中国大学MOOC答案 微电子器件（电子科技大学） 中国大学慕课答案 慕课答案 慕课答案免费查询 慕课答案题库 慕课题库 指数 放大 施主离子;受主离子 晶体管在小电流时α与β下降的原因，是小电流时（）占总发射极电流的比例增大，从而使注入效率γ降低 晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流作参量，输出端电流与输出端电压之间的关系 有效沟道长度调制效应 某N沟道MOSFET的阈值电压为V，当其栅源电压短接且栅极电压为V时，漏极电流ID为A 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为V，增益因子β为A/V 某长方形扩散区的方块电阻为Ω，长度和宽度分别为μm和μm，则其长度方向的电阻为（） 根据耗尽近似得到的结，电场强度正好在冶金结分界处达到最大值 模拟电路中的晶体管主要工作在（）区 欧姆接触降低了结的内建电压 正 正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点 正温度系数 正确 沟道长度 沟道长度增加;阈值电压提高 浓度高于平衡态少子浓度;一边扩散一边复合 漂移 特征频率代表的是共发射极接法的晶体管有电流放大能力的频率极限，而最高振荡频率则代表晶体管有功率放大能力的频率极限 理想PN结的电流是（） 由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型 电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功率增益降为四分之一 界面 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（） 短沟道效应 硅表面发生了强反型是指表面处的少子浓度达到或超过体内（）浓度 空间电荷区宽度;势垒电容;反向饱和电流;反向恢复过程 线性缓变结的耗尽层宽度正比于 要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（） 该器件的增益因子β为（） 这一过程需要的时间是（） 通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值 通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整 通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度 造成发射区重掺杂效应的原因有（） 部分作业 错误 错误下方是付费阅读内容：本平台商品均为虚拟商品，无法用作二次销售，不支持退换货，请在购买前确认您需要购买的资料准确无误后再购买，望知悉！[]post_id=”″show_buy_btn=”true”]下方为已购买的内容：第四章西方现代及当代管理理论的发展第四章章节测试 防止基区穿通的措施是提高（） 集电结零偏时的IC与IB之比称为（），记为β 集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流 雪崩击穿;齐纳击穿;隧道击穿;热击穿 需点击上方按钮支付元购买，所有 饱和漏源电压正比于沟道长度L;饱和漏极电流与沟道长度L无关;跨导与沟道长度L不再有关 高频小信号电流电压方程与等效电路 高频晶体管的工作频率一般在()的范围内