模拟电子线路A(南京邮电大学) 中国大学mooc慕课答案2024版 m100401

–mW ，用A ，购买后上方矩形框将出现已付费的隐藏内容 . .. .（）如果要求输出电压为V，输入信号为（）mV .（）晶体管的参数PCM应选取为（）W .（）晶体管的参数U(BR)CEO应选取为（）V .*wB .B.C.A .BA.AC .BBB.CAA .C.A.B.B .C.B .D.C .D.E.B.C ．ui＝mV时，输出信号电压uO＝ .V．R短路时，输出电压峰峰值为（）；A ．在和时的电压放大倍数都等于零 ．在理想情况下，在和时的电压放大倍数相等，且不等于零 ．在理想情况下，在时的电压放大倍数就是它的通带电压放大倍数 ．在范围内的通带电压放大倍数相等 ．的直流电压放大倍数就是它的通带电压放大倍数 ．若Re增大，则静态工作电流IC＿＿，差模电压放大倍数＿＿，共模电压放大倍数|Auc|＿＿；．若Rc增大，则静态工作电流IC＿＿，差模电压放大倍数＿＿，共模电压放大倍数|Auc|＿＿ ．若负载电阻RL一端接地，要求输出信号电压uO与输入信号电压uI同相位，则RL另一端应接在＿＿；要求uO与uI反相位，则RL另一端应接在＿＿ ．若采用半波整流电路，则输出电压平均值；A （）B（）C（）D（）A （）LM的 （）图(b)中，输出U=() （）整流器输出电压为（） ()每个晶体管的最大耗散功率PTm为（）A..WB..WC..WD..W()每个晶体管在最大耗散功率条件下的效率是（）A..%B.%C.%D.% （）设晶体管的饱和压降为.V，电路的最大输出功率为（）W （）负载RL上直流电压平均值UO为()：A..V；B.V；C..V；D.V；（）若二极管VD开路，重新估算UO为()：A..V；B.V；C..V；D.V；（）为保证电路正常工作，整流管的极限参数IF （）输出信号的最大功率为（）A..WB..C..D..()输出最大信号功率时电源的功率为（）A..WB..WC..WD..W ()集电极功耗（单管）为（）A..WB..WC..WD..W()集电极功耗效率为（）A..%B.%C.%D.% （A （a）（b） （a）不可以（b）不可以 （C （C） （c）或（d）所示 （D） （e）所示 (以下 ） ）；下限截止频率fL约为_Hz ）；当Ui＝mV，f=fL时，Uo约为____V（A [，] [，]B [，]C {，}D ∞ ② A A，D，A A..sinwt(V) A..WB..WC..WD..W()如晶体管的β=，当二极管开路时将产生()后果 A.R A.RB.RC.R A.VB.vC.vD.v（）电容器C两端电压为（） A.VB.vC.vD.v（）调制（）电阻才能达到上述要求 A.V和V的损坏B.V和V截止C.V和V的饱和D.无影响()动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整()电阻 A[/]完整 aB AB第周：知识单元二–场效应管及其放大电路（）（学时）场效应管及其放大电路（）单元测试 aC ACDBE A反馈网络B放大网络C反馈网络和放大网络D输入信号 a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET A均为理想运放，U=U=U=U=mV B B，C，A，D，C，B b&aC BA baa BC bD BDAA BDC第周：知识单元八–电源变换电路及EDA软件应用电源变换电路测试题 BEBG b与A相连b与C相连第周：知识单元七–集成运放的应用（）集成运放的应用（）测试题 b所示 C C，B C）．当输入信号电压ui时，Re两端＿＿信号电压ue（A CA Cb~C Cba CBCACBCCA C填空 D D;B;C D.RL dāB DBCA dD IBQ=.mA，ICQ=.mA，UCEQ=.V IBQ=.mA时，Q点的β值为（） iC IC=IC=.mA，UC=UC=.VAud=. ICQ值分别为() kw mA.V mooc慕课答案 mooc慕课答案题库 mooc答案 mooc答案题库 mooc题库 N型半导体 N沟道JFET PN结正偏时，势垒电容是主要的 P型半导体中，少数载流子是： R(RS) RB.R RB值分别为() RC.R RD.R RL R和Rf UC UC；．差模电压放大倍数； UCEQ UCEQ分别是() Uo=Vuo=V URM>v URM>vB URM>VC URM>VD URM应满足()条件：A.IF>mAURM>VB.IF>mAURM>VC.IF>mAURM>VD.IF>mAURM>V V V．R断路时，输出电压（）；A V．稳压管接反时，输出电压峰峰值为（）；A v（）整流管的极限参数URM应满足（）A v（）若负载电流IL=mA，LM的功率损耗为（） VB VC VD VT VT两晶体管特性对称，b＝，rbb’＝W，UBE＝.V，稳压管VDZ的稳压值UZ＝.V VT的发射极＿＿交流接地点 V截止 V第周：知识单元三–双极型晶体管及其放大电路（）双极型晶体管及其放大电路（）单元测验 V管的b=，rbb’=W，RC=KW，UCC=UEE=V，R=KW，R=KW，R=.KW W WC WD 下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是： 下方是付费阅读内容：本平台商品均为虚拟商品，不支持退换货，请在购买前确认您需要购买的资料准确无误后再购买，望知悉！[]post_id=”″show_buy_btn=”true”]下方为已购买的内容：点击下方链接，输入密码，点击提取文件，下载pdf版 不变 不变C 不是） 不移）．若只因为Rc>Rc，而其它电路参数均对称，则为了使静态电流IC＝IC，RW滑动端应＿＿；．若只因为Rb>Rb，而其它电路参数均对称，则为了使静态电流IC＝IC，RW滑动端应＿＿ 中国大学mooc慕课答案 中国大学mooc慕课答案大全 中国大学mooc慕课答案题库 中国大学mooc测验作业答案 中国大学mooc答案 中国大学MOOC答案 CSDN 中国大学mooc答案公众号 中国大学mooc答案公众号免费 中国大学mooc答案合集 中国大学MOOC答案在哪里查 中国大学MOOC答案查询 中国大学mooc答案题库 中国大学MOOC网课答案查询方法 中国大学慕课mooc答案题库 中国大学慕课答案 中国大学慕课答案题库 串联负反馈B 为了减小输出电压的纹波和噪声，应采用（）电路 为了得到低输入阻抗和低输出阻抗，应该采用何种类型的负反馈 为了提高稳压电路的效率，应采用（）电路 为使整个电路的输出电阻低，输入电阻高，试问该电路如何连接 为直流量B 交流正反馈 交流负反馈C 交流负反馈会使交流电压放大倍数发生什么变化 从括号中选择正确 任选其一都对)反馈网络;反馈第周：知识单元六–放大器中的反馈（）放大器中的反馈（）测试题 任选其一都对)虚短，虚断;虚断，虚短第周：知识单元六–放大器中的反馈（）放大器中的反馈（）测试题 低通，B 使输出电压不可调C 全波整流 全通） 共模抑制比第周：知识单元五–集成运算放大器电路（）集成运算放大器电路（）单元测验 共源放大电路的输入电阻通常_（A 具有较大的输出功率D 具有较高的电压放大倍数B 具有较高的电流放大倍数C 具有较高的管耗 减小 减小，C 减小这时，二极管的导通角将 分别选择一种滤波器填写下列各空（A 则RC 则管子工作在放大状态 则静态工作点UCEQ 功放测试题 功放电路如图所示：()如V和V的ICM=mA，PCM=mW，U(BR)CEO=V，晶体管的饱和压降为.V，电路的最大输出功率为() 功放电路如图所示：（）静态时，A点电位等于（） 功率放大电路的主要特点是（）；A 功率放大电路的效率是（）；A 功率放大电路的最大输出功率是负载上获得的（）；A 升高B 半导体三极管的b=，rbb¢=，UT=mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB=mA，RS=.kW，RE=RL=kW 半波整流 单相全波整流电路如图所示，图中已标出变压器副边绕组电压有效值 双端输入 双端输出，带恒流源的差分放大电路如图所示 反向击穿性 变小 右移，B 同相比例放大器，电压跟随器， 图图 图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会： 在不同情况下将得到下列不同的测试结果，选择正确 在不同情况下将得到下列不同的测试结果；选择正确 在不同情况下测得该电路的电压传输特性分别如图（b） 在共射放大电路的交流通路中，发射极电阻越大，引入的交流负反馈 在图（a）所示电路中，A为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为V 在图示放大电路中，各晶体管的参数相同，且＝，rbb’＝，|UBE|=.V，IB可忽略不计，电阻Rc＝Rc＝Rc＝k，Re＝.k，Re＝.k，电源电压VCC＝VEE＝V，试估算：．静态时，Uo＝ 在图示放大电路中，当增大电容C，则中频电压放大倍数_，下限截止频率fL，上限截止频率fH_；当增大电阻Rc则，fL_，fH；当换用fT高，相同的晶体管，则_，fL，fH____ 在图示方波发生器中，已知A为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为V 在如图所示桥式整流 在放大电路中，若要求稳定静态工作点，应该引入____；若要求稳定放大倍数，应该引入 在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将；A 在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为： 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切 在深度负反馈条件下，放大倍数几乎只取决于 在题图（a）所示迟滞电压比较器电路中，A为理想运算放大器，二极管VD为理想二极管，电源电压为V 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路 均为章节测试 基本不变） 填入空内 填入空内：．正常工作时，输出电压峰－峰值为（），A 填入空内：．正常工作时，输出电压峰峰值为（），A 填空 填空（A 增大，B 增大B 大，B 大于，B 大于B 大学慕课MOOC的答案在哪里 如图两个电路能否放大输入信号 如图所示为占空比可调的张弛振荡器，设二极管为理想二极管，试求电容C的充电时常数为（） 如图所示电路(a)和(b)中，A均为理想运放 如果串联负反馈的输入信号源是时，负反馈将不起作用 如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体 实验电路如图所示 小，C 小于 小于，C 峰峰值为V．R短路时，（）；A 峰峰值为VC 左移，C 差分放大电路如图所示 差动放大电路如图所示 已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（） 已知A 已知V 已知β＝，UBE＝﹣.V，则直流工作点ICQ 已知β＝，UBE＝﹣.V，若偏置电阻RB开路，则集电极电位UC及晶体管工作状态分别为（） 已知两个晶体管的参数相同：rbb¢=，rb¢e=kW，β＝，rce=∞；RC=RL=kW，RE=kW，RB=kW 已知变压器次级电压有效值为V，三端稳压器为LM 已知图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示 已知图示电路中晶体管＝，rbe＝.k 已知场效应管的输出特性或转移如题图所示，试判别其类型 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示 已知电源变压器次级电压有效值为V，其内阻和二极管的正向电阻可忽略不计，整流电路后无滤波电路 带有的放大电路称作反馈放大电路 带通，D 带阻，E 并联反馈时，输入端不能加入，否则并联反馈不复存在 并联负反馈 并联负反馈C 开关型稳压电路C 开关状态．与线性稳压电源相比，开关稳压电源的突出优点是（）；A 当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽 当信号源为电流源时，为了减小放大电路的输入电阻，使电路获得更大的输入电流，应该引入 当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的.倍，此时增益下降（）dB 影响fL大小的因素是_，影响fH大小的因素是_ 恒压源 恒流区 恒流源 慕课答案 慕课答案免费查询 慕课答案题库 慕课题库 截止区 损坏 掺杂工艺，C 放大 放大状态B 放大电路及其交 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图a 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示 放大电路如题图所示，已知β=，UBE=.V，UCES=，RC=kW，RL=kW，UCC=V 无），对差模信号，VT 是，D 晶体管极间电容，B 晶体管电路如题图所示 晶体管的β＝，rbb¢=W，RB=kW，RB=kW，UCC=V，RC=kW，RE=kW，RL=kW 晶体管的非线性特性，C 最大交流功率B 最大值检测电路中的应用测试题 最大平均功率D 最大直流功率C 最大输出功率 有，B 杂质浓度） 某场效应管的IDSS为mA，而ID从漏极流出，大小为mA，则该管为： 某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的PCM约为（） 桥式整流电路中二极管所承受的最大反向电压半波整流电路中二极管所承受的最大反向电压 桥式整流电路输出电压的交流分量半波整流电路输出电压的交流分量A 模拟电子线路A(南京邮电大学) 中国大学MOOC慕课答案 模拟电子线路A(南京邮电大学) 中国大学mooc慕课答案2023版 m100401 模拟电子线路A(南京邮电大学) 中国大学MOOC答案 模拟电子线路A(南京邮电大学) 中国大学慕课答案 正常工作．开关稳压电源适于制成（） 正常工作时，该电路的电压传输特性如图所示； 正确分析：“足够多”的三价元素，可以提供“足够多”的空穴 正确分析：通过计算，IB=uA，IC=.mA，UCE=.V>.V，集电结反偏，故管子工作在放大状态 正确第周：知识单元二–场效应管及其放大电路（）（学时）场效应管及其放大电路（）单元测试 正确第周：知识单元四–放大器频率响应放大器频率响应单元测验 测得该电路的电压传输特性可能如图（b） 温度，B 源电压放大倍数Aus=Uo/Us 滤波器D 烧坏调整管B 理想乙类互补推挽功放电路如下图所示，设UCC=V，UEE=－V，RL=Ω，UCE(sat)=，输入为正弦信号 用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（） 由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电 由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入 电压串联 电压串联C 电压串联负反馈 电压并联B 电压并联负反馈 电压负反馈D 电容滤波电路中，变压器次级电压有效值U=V，RL=，试求：（）负载电流IL为（）：A..A;B..A;C..A;D..A;（）整流管的极限参数IF应满足（）条件：A..A;B..A;C..A;D..A;（）整流管的极限参数URM应满足（）条件：A..V;B..V;C..V;D.V;（）电容器C的耐压UC应为（）：A..V;B..V;C..V;D.V; 电流串联（）估算电路在深度负反馈时的闭环电压增益为（） 电流串联正反馈 电流并联D 电流并联负反馈 电流负反馈 电路中为理想集成运放，求电路表达式 电路如图所示，A为理想运算放大器，已知输入电压u从－V逐渐变为－V，在变为－V时刻，问．正常工作时，输出电压uo＝V；．若P点断开，则uo＝V 电路如图所示，试问（）晶体管的参数ICM应选取为（）A 电路如图所示，试问（）电路中引入的反馈组态属于（） 电路如图题所示 电路如题图所示 电路如题图所示，电容C对信号可视为短路 电路的输出电阻Ro为() 电路输入信号为，求电路输出表达式 直流稳压电源电路如图所示 直流负反馈B 直流负载线如题图所示，则UCC 直流负载线如题图所示，则输出动态范围Uopp的值为() 直流负载线如题图所示，已知β=，UBE=.V，UCES= 硅NPN 硅晶体管电路如题图所示 稳压管因电流过大而损坏 稳压管是利用PN结的（）特性制作而成的 端承受的电压为（） 第周：知识单元一–PN结与半导体二极管（学时）PN结与半导体二极管单元测试 第周：知识单元七–集成运放的应用（），功率放大电路集成运放在弛张振荡 第周：知识单元三–双极型晶体管及其放大电路（）双极型晶体管及其放大电路（）单元测验 等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_（A 等于C 精密整流 线性状态下理想运放的两个特性是（）和（） 线性稳压电路B 组合放大电路如图所示 组合放大电路如题图所示 耗尽型PMOS管 耦合电容 自由电子 自身功耗小B 若ui=，ui=sinωt(mV)，试求uo=? 若要求放大电路有最大的输出动态范围，则RB应调到（） 若采用桥式整流电路，则输出电压平均值；A 设UBE(on)＝V，各电容对信号视作短路，则晶体管的β和rce分别为（） 设UBE(on)＝V，各电容对信号视作短路，则电路的交流负载线为（） 设UBE(on)＝V，各电容对信号视作短路，若电路中加接RL=kW的负载，设RB可调节，为得到最大的输出电压振幅值Uom，工作点应选取Q点（） 设晶体管的UBE(on)=.V，b= 设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和 设调零电位器Rw滑动端位于中点，试就下列问题选择正确 试估算：.静态工作点IC 试判断传输特性曲线uo=f（ui）为（） 试判断电路的传输特性曲线为（） 试填空完成：U=__Ui，U=__mV 试填空完成：运放A构成__电路，A构成_电路，U=__Ui 试求：（）图(a)中，输出U=() 试确定圆圈中晶体管的类型（） 试计算Au=Uo/Ui 试计算Ro 试选择正确 该放大电路的中频电压放大倍数约为_（A 该电路中存在的级间反馈类型是 该电路中的反馈网络包括 该电路中的级间负反馈使得输入 该电路满足深负反馈条件，请求出闭环电压放大倍数 该电路的交流通路如图所示 该电路的增益Au为（） 该电路的电压增益Au为（） 该电路的输入电阻Ri为（） 该电路的输出电阻Ro为（） 该电路的静态工作点为（） 请判断下列电路图中存在的级间交流负反馈类型 越强 输入功率与功放管耗散功率之比 输入电阻Ri和输出电阻Ro分别为（） 输入电阻减小，输出电阻减小 输入电阻增大，输出电阻减小 输出功率与功放管耗散功率之比C 输出功率与电源提供的功率之比D 输出功率与输入功率之比B 输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路： 输出电压变化不大，输出大电流的稳压电源C 输出电压可调范围大C 输出电压峰峰值为VB 输出电压峰峰值为VC 输出电压稳定性好．一般的开关稳压电源在空载时，会（）；A 输出电压调节范围很宽的稳压电源B 输出电阻如何变化 运放组成的电路如下图所示，电源电压为±V 运放组成的电路如图题所示，电源电压为±V 适中） 选择一个正确 选择填空：．开关稳压电源中的调整管工作在（）；A 选择填空：．正常工作时，该电路的电压传输特性如图所示；．当A点断开时，该电路的电压传输特性如图所示；．当B点断开时，该电路的电压传输特性如图所示；．当C点断开时，该电路的电压传输特性如图所示 锗PNP 错误分析：N型半导体整体呈电中性：大量自由电子存在的同时，还有大量正离子（五价元素提供一个自由电子，成为离子） 错误分析：PN结正偏时，势垒区较窄，扩散电容是主要的 错误分析：因发射结偏压小于，故管子工作在截止状态 错误分析：若工作点选取Q点，因交流负载为kΩ，则交流负载线与横轴交点横坐标为V，即交流负载线为，从图可见Q点并不在交流负载线的中心，故本题的说法错误 需点击上方按钮支付元购买，所有 静态工作点过于靠近截止区 题图所示为共射放大电路，设基极静态电流IBQ=mA，RC=kW，RL=kW，UCC=V，RS=W，rbb¢=，厄尔利电压|UA|=V，b=，C为隔直 饱和状态C 高精度的基准电源 高通，C