模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版 m246499


第二周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题

1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        

答案: 等于

2、 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于               。

答案:  掺杂浓度

3、 在掺杂半导体中,少子的浓度受           的影响很大。

答案: 温度

4、 在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度              。

答案: 越低

5、 N型半导体               。

答案: 呈电中性

6、 温度升高,N型半导体的电阻率               。

答案: 将增大

7、 环境温度升高,二极管的反向饱和电流             

答案: 将增大

8、 普通二极管的正向电压降温度系数                   。

答案: 为负

9、 确保二极管安全工作的两个主要参数分别是           和          。

答案: IF,UR

10、 对于稳定电压为10V的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压          。

答案: 将升高

11、 二极管的反偏电压升高,其结电容          。

答案: 减小

12、 硅二极管的死区电压约为          。

答案: 0.5V

13、 二极管的伏安特性表示式为            。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第1张

14、 已知二极管的静态工作点UD和ID,则其静态电阻为          。

答案: UD/ID

15、 已知二极管的静态工作点UD和ID,则其动态电阻为             。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第2张

16、 某硅二极管在正向电压模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第3张时,正向电流模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第4张。若模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第5张增大到0.66V,则电流模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第6张约为          。

答案: 100mA

17、 当环境温度升高时,二极管的正向电压将    ,反向饱和电流将    。

答案: 减小,增大

18、 当PN结正向偏置时,耗尽层    。当PN结反向偏置时,耗尽层    。

答案: 变窄,变宽

19、 电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ,硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V,正向压降为0.7V,动态电阻可以忽略。试求a,b,c,d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第7张

答案: 14V,6V,6.7V,0.7V

20、 设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第8张

答案: 截止,导通,导通,截止

第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)

1、 晶体管能够放大的外部条件是             。

答案: 发射结正偏,集电结反偏

2、 当晶体管工作于饱和状态时,其             。

答案: 发射结正偏,集电结正偏

3、 硅晶体管的死区电压约为             。

答案:  0.5V

4、 锗晶体管的导通压降|UBE|约为             。

答案: 0.3V

5、 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的b为        。

答案: 60

6、 温度升高,晶体管的电流放大系数b          。

答案: 增大

7、 温度升高,晶体管的管压降|UBE|          。

答案: 减小

8、 温度升高,晶体管输入特性曲线         。

答案: 左移

9、 温度升高,晶体管输出特性曲线的间隔        。

答案: 增大

10、 当晶体管的集电极电流模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第9张时,下列说法正确的是        。

答案: 晶体管的b一定减小

11、 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为      。

答案: PNP型锗管

12、 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V,则该管      。

答案: 已损坏

13、 对于电压放大器来说,         越大,电路的放大能力越强。

答案: 输入电阻

14、 对于电压放大器来说,         越小,电路带负载的能力越强。

答案: 输出电阻

15、 在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是      失真。

答案: 饱和

16、 一放大电路如图所示,当逐渐增大输入电压模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第10张的幅度时,输出电压模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第11张的波形首先出现了底部被削平的情况,为了消除这种失真,应        。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第12张

答案: 减小模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第13张

17、 17. NPN型晶体管工作在放大状态时,其发射结电压与电极电流的关系为     。

答案: (d)模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第14张

18、 引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_

答案: (d)晶体管参数随环境温度的变化而变化

19、 在放大电路中,直流负反馈可以__。

答案: (d)稳定电路的静态工作点

20、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3KW的负载后输出电压降为3 V,则此电路的输出电阻为       。  

答案: (b)1kW 

21、 已知图示放大电路中的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第15张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第16张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第17张,晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第18张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第19张。那么,该晶体管处于何种状态?         。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第20张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第20张

答案: (b)饱和状态

22、 在上题中,若晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第22张。该晶体管处于何种状态?_

答案: (a)放大状态

23、 在21题中,若晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第22张, 当增大输入信号的幅值时,电路的输出波形将首先出现何种失真?_

答案: (a) 饱和 

24、 若三级放大电路的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第24张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第25张,则电路的放大倍数为    。

答案: (d)  10000

25、 有两个性能完全相同的放大器,其开路电压增益为20dB,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第26张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第27张W。现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为______。     

答案: (b)32dB   

26、 已知图示放大电路中的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第15张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第16张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第17张,晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第18张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第19张。那么,该晶体管处于何种状态?         。
模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第20张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第20张

答案: (b)饱和状态

27、 已知图示放大电路中的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第15张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第16张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第17张,晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第19张。若晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第22张。该晶体管处于何种状态?_模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第20张

答案: (a)放大状态

28、 有两个性能完全相同的放大器,其开路电压增益为20dB,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第26张W,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第27张W。现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为______。     

答案: (b)32dB   

29、 某放大电路在负载开路时的输出电压为10V,接入5k模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第43张负载后输出电压降为3 V,则此电路的输出电阻为       。

答案: 50/3k模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第43张

30、 对于电流放大器来说,则希望输入电阻    越好,输出电阻     越好。

答案: 越小,越大

31、 晶体管电路如图所示,已知各晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第45张=50。试分析电路中晶体管的工作状态。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第46张

答案: 饱和

32、 晶体管电路如图所示,已知各晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第45张=50。试分析电路中晶体管的工作状态。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第48张

答案: 截止

33、 晶体管电路如图所示,已知各晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第45张=50。试分析电路中晶体管的工作状态。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第50张

答案: 放大

第五周:第2章半导体晶体管及放大电路基础、第3章场效应晶体管及其放大电路 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(2)

1、 在放大电路幅频响应(波特图)曲线中,在上限截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第51张和下限截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第52张频率点处,电压增益比中频区增益下降了3dB,亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_倍。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第53张

2、 多级放大电路的级数愈多,其上限截止频率fH ___。

答案: 越低

3、 已知某放大电路由放大倍数完全相同的两个单级放大电路组成,那么,在组成它的单级放大电路的截止频率处,电路的放大倍数下降了_ 。

答案: 6dB

4、 多级放大电路的级数愈多,则高频附加相移___。

答案: 越大

5、 晶体管的共射截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第54张、共基截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第55张及特征频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第56张三者之间的大小关系是___。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第57张

6、 已知某晶体管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第58张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第59张。当其工作频率为模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第60张时,模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第61张     。

答案: 3MHz

7、 两级放大电路中,已知模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第62张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第63张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第64张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第65张。则:(1)放大电路的下限截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第66张     

答案: 55Hz

8、 在上题中:(2)放大电路的上限截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第67张       。

答案: 24kHz

9、 一放大电路如图所示,其中模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第68张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第69张为负载电阻和负载电容。(1)当增大模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第70张的容量时,该放大电路的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第71张       ;模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第72张

答案: 减小

10、 在上题中:(2)当模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第73张的容量减小时,该电路的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第74张       。

答案: 提高

11、 在上题中:(3)当忽略晶体管的结电容时,该电路的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第75张=       。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第76张

12、 两级放大电路中,已知模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第62张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第63张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第64张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第65张。则:放大电路的下限截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第66张     ,放大电路的上限截止频率模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第67张       。

答案: 55Hz,24kHz

13、 一放大电路如图所示,其中模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第68张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第69张为负载电阻和负载电容。当增大模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第70张的容量时,该放大电路的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第71张       ;模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第72张

答案: 减小

14、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第72张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第73张的容量减小时,该电路的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第74张       。

答案: 提高

15、 某共射极放大电路如图所示,已知晶体管的rbb=100Ω,rb’e=900Ω,gm=0.04S,三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF,等效输出电容C0忽略不计。计算中频电压放大倍数Ausm模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第91张

答案: -36

16、 有一共基极放大电路如图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb’=80Ω、β=20。试估算静态工作点UCEQ值模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第92张

答案: 15

17、 有一共基极放大电路如图所示。其中VCC= 24V、RB1 = 90kΩ、RB2=48kΩ、RC =RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb’=80Ω、β=20。计算放大倍数Au模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第92张

答案: 61.7

第六周:第3章场效应晶体管及其放大电路 第3章场效应晶体管及其放大电路自测题

1、 场效应管是利用___来控制漏极电流电子器件。

答案: 输入电压

2、 当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时,它的低频跨导      。

答案: 增大

3、 当ugs=0时, 不能够工作在恒流区的是          。

答案: 增强型MOS管

4、 随着uGS的增大,结型场效应管的漏源击穿电压U(BR)DS将如何变化?      。

答案: 增大

5、 当场效应管工作于放大区时,耗尽型场效应管iD的数学表达式为:        。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第94张

6、 增强型场效应管导通的必要条件是        。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第95张

7、 某场效应管的模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第96张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第97张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第98张的方向是从漏极流出,则该管为        。

答案: 耗尽型PMOS

8、 与双极型晶体管比较,场效应管        。

答案: 放大能力弱

9、 N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>__, UDSQ>____。

答案: UGS(th) , UGSQ-UGS(th)

10、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第99张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第100张

答案: 0

11、 一N型沟道增强型MOS场效应管放大电路如图所示。在线性放大条件下:模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第101张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第102张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第103张


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12、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第104张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第105张

13、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第106张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第107张

14、 反映场效应管放大能力的一个重要参数是        。

答案: 跨导

15、 图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-8V,uDS=4V,管子工作在哪个区?模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第108张

答案: 截止区

16、 由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V,gm=1.2ma/V,C1、C2的电容量足够大。试求电路的静态工作点UDSQ模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第109张

答案: 15.8V

17、 由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V,gm=1.2ma/V,C1、C2的电容量足够大。试求电路的电压放大倍数Au模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第109张

答案: 0.86

18、 图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=1V,管子工作在哪个区?模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第108张

答案: 可变电阻区

19、 图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=4V,管子工作在哪个区?模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第108张

答案: 放大区

第七周:第4章集成运算放大器、第5章反馈和负反馈放大电路 第4章集成运算放大器自测题

1、 集成运放是一种高增益的、       的多级放大电路。

答案: 直接耦合

2、 集成运放采用直接耦合的原因是       

答案: 不易制作大容量的电容

3、 直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是      。

答案: 晶体管参数受温度影响变化较大

4、 集成运放的输出级采用互补推挽电路是为了      。

答案: 提高带负载能力

5、 共摸抑制比KCMR越大,表明电路的      。

答案: 抑制零漂的能力越强

6、 差分放大电路由双端输出变为单端输出,则差模电压增益      。

答案: 减小

7、 差分放大电路由双端输出变为单端输出,则共模电压增益      。

答案: 增大

8、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,则差模电压增益      。

答案: 不变

9、 差分放大电路如图所示。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第113张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第114张

10、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第115张

答案: 0

11、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第116张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第117张

12、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第118张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第119张

13、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第120张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第121张

14、 差分放大电路的共模抑制比KCMR为       之比。

答案: 差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值

15、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第122张

答案: 提高共模抑制比

16、 差分放大电路由双端输出改为单端输出,其共模抑制比KCMR减小的原因是      。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第123张

17、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第124张

答案: 50

18、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第125张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第126张

19、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第127张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第128张

20、 电路如图所示,已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,β1=β2=50,rbb’=300Ω,求静态工作点UCEQ模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第129张

答案: 8.6V

21、 电路如图所示,已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,β1=β2=50,rbb’=300Ω,求差模电压放大倍数Aud模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第129张

答案: -72.35

22、 某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω,UBE=0.7V,β=50,VCC=VEE=12V,RB=1kΩ,RC=RL=RE=5kΩ,试估算晶体管静态工作点UCEQ模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第131张

答案: 7.5

23、 某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω,UBE=0.7V,β=50,VCC=VEE=12V,RB=1kΩ,RC=RL=RE=5kΩ,试估算差模电压放大倍数Aud模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第131张

答案: -33.3

第八周:第5章反馈和负反馈放大电路 第5章反馈和负反馈放大电路自测题

1、 根据反馈的极性,反馈可分为_反馈。

答案: 正和负

2、 根据反馈信号的频率,反馈可分为_反馈。

答案: 直流和交流

3、 根据反馈信号的取样对象,反馈可分为_反馈。

答案: 电压和电流

4、 根据反馈信号的比较方式,反馈可分为_反馈。

答案: 串联和并联

5、 直流负反馈在电路中的主要作用是_

答案: 稳定静态工作点

6、 若反馈信号正比于输出电流,该反馈为_反馈。

答案: 电流

7、 电路中的反馈信号以电压形式出现在输入回路中,该反馈为_反馈。

答案: 串联

8、 电压负反馈可以_

答案: 稳定电路的输出电压

9、 串联负反馈能够___。

答案: 提高电路的输入电阻

10、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第133张

答案: 90和9

11、 当电路的闭环增益为40dB时,基本放大电路的增益变化10%,电路的闭环增益相应变化1%,则此时电路的开环增益为        dB。

答案: 60

12、 负反馈放大器产生自激振荡的原因是      。

答案: 环路增益太大

13、 理想运放组成的放大电路如图所示,那么:(1)该电路引入的反馈是          ;模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第134张

答案: 电压串联负反馈

14、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第135张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第136张

15、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第137张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第138张

16、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第139张

答案: 0

17、 判断电路反馈组态模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第140张

答案: 电流串联负反馈

18、 判断电路反馈组态模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第141张

答案: 电流并联负反馈

19、 判断电路反馈组态模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第142张

答案: 电压串联负反馈

20、 判断电路反馈组态模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第143张

答案: 电流串联负反馈

21、 判断电路反馈组态模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第144张

答案: 电压串联负反馈

第九周:第6章集成运算放大器组成的运算电路、第7章信号检测与处理电路 第6章集成运算放大器组成的运算电路自测题

1、 集成运放的增益越高,运放的线性区      。

答案: 越小

2、 为使运放的工作于线性区,通常      。

答案: 引入深度负反馈

3、 反相比例运算电路中,电路引入了      负反馈。

答案: 电压并联

4、 同相比例运算电路中,电路引入了      负反馈。

答案: 电压串联

5、 电压跟随器的       ,所以常用作缓冲器。

答案: 输入电阻很大、输出电阻很小

6、 在图示电路中,设A为理想运放,那么,电路中存在如下关系,      。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第145张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第146张

7、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第147张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第148张

8、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第149张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第150张

9、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第151张

答案: -12V

10、 电路如图所示,设运放是理想的。当输入电压uI=2V时,则输出电压uO=      。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第152张

答案: –5V

11、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第153张

答案: 反相加法运算

12、 如果基本对数运算电路的输入电压在正常工作范围内增加到原来的10倍,那么它的输出电压将___。

答案: 减小约60mV

13、 电路如图所示,已知UI1=1V、UI2=2V、UI3=3V、UI4=4V(均为对地电压), R1=R2=2kΩ,R3=R4= RF=1kΩ  求UO。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第154张

答案: 5.5

第十周:第7章信号检测与处理电路、第8章信号发生器 第7章信号检测与处理电路自测题

1、 有用信号频率低于200Hz,可选用      滤波电路。

答案: 低通

2、 希望抑制50Hz的交流电源干扰,可选用     滤波电路。

答案: 带阻

3、 在理想情况下,直流电压增益就是它的通带电压增益,该电路为      滤波电路。

答案: 低通

4、 电路如图所示模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第155张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第156张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第157张

5、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第158张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第159张

6、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第160张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第161张

7、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第162张

答案: 低通

8、 与迟滞比较器相比,单门限比较器抗干扰力      。

答案: 弱

9、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第163张

答案: 反相输入单门限

10、 图示电路为       比较器。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第164张

答案: 同相输入迟滞电压

11、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第165张

答案: 10V

12、 (2)电路的下限翻转电平为        。

答案: -10V

13、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第155张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第160张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第161张

14、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第164张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第165张

答案: 10V

15、 由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为       。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第171张

答案: 单门限比较器

16、 由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为       。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第172张

答案: 迟滞比较器

17、 由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为       。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第173张

答案: 窗口比较器

18、 若希望在uI<2V时,uO为高电平,而在uI>2V时,uO为低电平,可采用      比较器。

答案: 反相输入单门限

第十一周:第8章信号发生器、第9章功率放大电路 第8章信号发生器自测题

1、 正反馈是放大电路产生自激振荡的      。

答案: 必要条件

2、 在正弦波振荡电路中,能产生振荡的条件是      。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第174张

3、 振荡电路的振荡频率,通常是由      决定的。

答案: 选频网络的参数

4、 根据      的元器件类型不同,将正弦波振荡器分为RC型、LC型和石英晶体振荡器。

答案: 选频网络

5、 若需要1MHz以下的正弦波信号,一般可用何种振荡电路?

答案: RC型

6、 振荡电路的频率稳定度主要与振荡电路的       有关。

答案: 品质因数Q

7、 在RC型、LC型和晶体振荡器中,频率稳定度最高的是何种振荡电路?      。

答案: 石英晶体

8、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第175张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第176张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第177张

9、 非正弦波发生器,一般由         、反馈网络和        等几部分组成。

答案: 开关器件、延迟环节

10、 在方波—三角波振荡电路中,改变       ,可将三角波变为锯齿波.

答案: 积分电路,使充电和放电时间常数不等

11、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第178张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第179张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第180张

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第181张

12、 (2)电路的振荡频率为      。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第182张

13、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第179张电路的振荡频率为      。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第182张

14、 在正弦波振荡电路中,能产生振荡的相位条件是______。

答案: φA+φF=2nπ

15、 电路如图所示,设运放是理想器件,R1=10kΩ,为使该电路能产生正弦波,则要求     。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第185张

答案: RF=18kΩ+4.7kΩ(可调)

16、 在图示电路中,谐振回路由      元件组成。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第186张

答案: L1、C1

17、 电容三点式振荡器与电感三点式振荡器相比,输出的波形     。

答案: 较好

第十一周:第8章信号发生器、第9章功率放大电路 第9章功率放大电路自测题

1、 所谓能量转换效率是指       。

答案: 输出功率与电源提供的功率之比

2、 乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是          。

答案: 78.5%

3、 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于        时,管子的功耗最小。

答案: 0V

4、 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于        时,管子的功耗最大。

答案: 0.64倍电源电压

5、 在乙类互补推挽功率放大电路中,每只管子的最大管耗约为     。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第187张

6、 乙类互补推挽功率放大电路中,流过功放管的最大电流为       。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第188张

7、 乙类互补推挽功率放大电路的最大输出功率为       。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第189张

8、 在乙类互补推挽功率放大电路中,电源提供的最大功率为       。

答案: 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第190张

9、 功率放大电路的转换效率是指_

答案: 输出功率与电源提供的平均功率之比

10、 在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1 W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为_

答案: 0.2W

11、 设计一个输出功率为20W的功放电路,若用乙类互补对称功率放大,则每只功放管的最大允许功耗PCM至小应有___。

答案: 4W

12、 乙类互补推挽功率放大电路中,若电源电压为VCC,放大管的饱和压降为UCES,那么放大管的最大管压降为       。   

答案: 2VCC-Uces

13、 在图示功率放大电路中。二极管D1和D2的作用是___。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第191张

答案: 减小交越失真

14、 乙类互补功放电路存在的主要问题是          。

答案: 有交越失真

15、 为了消除交越失真,应当使功率放大电路的功放管工作在___状态。

答案: 甲乙类

第十二周:第10章直流稳压电源 第10章直流稳压电源自测题

1、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第192张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第193张(1)电路输出电压的平均值为          。

答案: 9V

2、 (2)电路输出电流的平均值为          。

答案: 0.09A

3、 (3)二极管承受的反向电压最大值        。

答案: 14.14V

4、 (4)若D1开路,则输出的平均值为          。

答案: 4.5V

5、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第194张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第195张(1)电路输出电压的平均值约为          。

答案: 12V

6、 (2)流过每个二极管的平均电流约为          。

答案: 0.6 mA

7、 串联型线性稳压电路正常工作时,调整管处于何种状态?         。

答案: 放大

8、 串联型线性稳压电路中引入的反馈是          负反馈。

答案: 电压串联

9、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第192张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第193张(2)电路输出电流的平均值为          。

答案: 0.09A

10、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第192张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第193张(3)二极管承受的反向电压最大值        。

答案: 14.14V

11、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第192张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第193张(4)若D1开路,则输出的平均值为          。

答案: 4.5V

12、 模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第194张模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第195张(2)流过每个二极管的平均电流约为          。

答案: 0.6 mA

13、 串联型线性稳压电路中的放大环节放大的对象是         。

答案: 基准电压与取样电压之差

14、 在串联型线性稳压电路中,若要求输出电压为 18V,调整管压降为6V,整流电路采用电容滤波,则电源变压器次级电压有效值约为         。  

答案: 20V

15、 电路如图所示,则输出电压Uo=          。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第204张

答案: 22.5V

16、 在图所示电路中,IQ=0。则该电路具有         的特性 。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第205张

答案: 电压源

17、 电路如图所示,若IQ可以忽略,则电路具有         的特性 。模拟电子技术基础(西安交通大学) 中国大学mooc慕课答案2024版  m246499第206张

答案: 电流源


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